學者用測定半水石膏水化時漿體的導電率的方法，對石膏水化進行了研究。認為半水石膏加入水中后溶解于水，并很快達到飽和狀態(tài)。當溶液對二水石膏來說達到過飽和狀態(tài)時，就會結晶生成二水石膏。此時這個過飽和度在整個誘導期保持不變，二水石膏晶核不斷產生，半水石膏不斷溶解，生成的新相-二水石膏又不斷使已形成的晶核長大成晶體。

Cunningham、Dunham和Antes等人用光學顯微鏡和電子顯微鏡認真研究廠半水石膏水化過程，他們從研究中得出以下結果：

（1）熟石膏的凝結足一個溶解一―再結晶過程。

（2）雖然晶體尺寸大小不同，但在稀溶液中或在標準石膏漿體巾聽形成的晶體類型相同，

（3）加入促凝劑或緩凝劑可以改變半水石膏的溶解速度。

（4）沒有跡象形成膠凝相。

Schiller用數(shù)學模型的方法來研究半水石膏溶解和二水石膏結晶現(xiàn)象。他認為半水石膏的水化過程取決于：

（1）物體所保持的原始狀態(tài)；

（2）鈣離子和硫酸根離子的擴散；

（3）沉積在新顆粒上的物質與新顆粒增長速度之間的關系。

Magnan通過研究，石膏粉生產設備把半水石膏的水化過程描述為四個連續(xù)階段：

（1）半水石膏相溶解并形成半水石膏飽和與二水石膏過飽和的離嚴系統(tǒng)，形成結晶不完全或不穩(wěn)定的初始水化物即晶胚。該水化物中的含水量比化學計算值高。

（2）初始水化物在誘導期內逐漸穩(wěn)定，起到了晶核的作用。

（3）晶核生長，半水石膏顆粒上出現(xiàn)新的表面，產生新的離子和初始水化物，二水石膏晶體很快增長。

（4）半水石膏比率減少，并且水化速度減慢。

以上綜述了溶解一結晶理論支持者們的一些研究觀點。石膏粉生產工藝用這種理論可以對水化過程的許多現(xiàn)象進行解釋，已被越來越多的人所接受。

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